10W激光打標機,端泵激光打標機,光纖打標機,科技打標機,打 

    概述:端面激光打標機全稱為半導體端面泵浦激光打標機,利用半導體激光器(Laser Diode,LD)泵浦的固體激光器作為泵浦源,經光纖耦合后從端面注入激光晶體。使泵浦光束進入增益介質與腔模空間最大程度交疊,從而
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    刷新時間:
    2018-11-17 10:33:23 點擊32751次
    服務區域:
    山東/濟南/歷城/鮑山街道
    價格:
    • 16500 元
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    15508647570 諶璞
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    M1型

    ☆ 激光打標是以激光光子作為能量的載體,通過極細的激光光束聚焦后產生的高能量,來實現材料表面的標記。

    ☆ 激光打標屬于非接觸性加工,加工工 件不變形。

    ☆ 激光打標熱影響區域小,具有精確的加工軌跡,加工速度高、質量好,可完成一些常規方法無法實現的工藝。

    設備特點:

    該設備采用國際領先技術生產,核心器件均從國外進口。其優點為:

    1、是目前國內同類產品中體積最小的設備。

    2、發光源采用半導體列陣,光光轉換效率高。

    3、熱耗損低,無需單獨配備冷卻系統;無冷水箱,省去了換水的麻煩。

    4、耗電少,500W/H左右。

    5、性能穩定,整機免維護時間可達到15000小時,無需安裝氪燈。

    6、可對各類金屬材質及某些非金屬材質進行表面標刻,適用性非常強。

    7、與計算機配合,可隨意更改標刻圖形和參數。

    8、標刻效果精細、獨特、永不磨損,具有防偽性。

    適用材料:

    可以在任何金屬(含稀有金屬)、工程塑料、電鍍材料、鍍膜材料、噴涂材料、塑料橡膠、環氧樹脂等材料上標記分辨率高、非常美觀的圖像。

    應用行業:

       廣泛應用于手機按鍵、塑膠透光按鍵、電子元器件、集成電路(IC)、電工電器、通訊產品、標牌、衛浴潔具、五金制品、工具配件、精密器械、眼鏡鐘表、珠寶首飾、汽車配件、箱包飾扣、刀具、鎖具、炊具、不銹鋼制品、PVC管材、醫療器械等行業。

    主要參數:

    型號M1

    激光類型/波長 Nd:YAG/1064nm

    激光峰值功率 ≥20KW

    激光光束質量M2 <1.3

    激光脈沖寬度 ≤8ns

    功率穩定性(rms,>4h) <3%

    激光模式 TEM00

    打標范圍 110mm x 110mm

    打標深度 ≤0.5mm

    最大打標線速 7000mm/s

    最小打標線寬 ≤0.01mm

    最小字符高度 ≤0.1mm

    重復打標精度 ≤10μrad

    耗電功率 ≤0.4KW

    電力需求 220VAC/50Hz

    應用實例:

    ●精細加工:端面泵浦激光光束質量高,標刻光點小于40微米,適合精細打標。

    ●PE管材:管材生產使用飛行標刻模式,該光源體積小巧,適合于在生產線上集成。

    ● 金銀首飾:該光源聚焦光斑精細,峰值功率高,標刻效果精美。

     ●不銹鋼打白:該工藝需要光點排布細密和高的峰值功率。

     ●透光按鍵:需要光點整齊、穩定,多模光斑帶來的熱效應小。

     ●汽車零部件:材料強度大,需要高峰值功率和高的加工速度。

    疑問解答:

    1. 該光源平均功率只有2W,為什么如此小的功率卻能輕易的切割0.16mm厚的金屬名片?

    答:激光能夠標刻金屬,主要原因在于其具有高的峰值功率。這一點是最主要而又最容易被忽視的。

    我們以50W側泵半導體激光器為例:在10KHz情況下,平均功率僅有不到20瓦,脈寬為100ns;

    峰值功率=平均功率/(頻率×脈寬)=20W/(10KHz×100ns)=20KW

    而MPL-N-1064型端泵激光光源,在10KHz情況下,平均功率為2瓦,但是脈寬只有7ns。

    峰值功率=平均功率/(頻率×脈寬)=2W/(10KHz×7ns)=30KW

    由此可見,在常規加工情況下,2瓦端泵激光器的峰值功率還是要高于側泵水冷激光器的,而且其性價比優勢更是高于側泵水冷機。

    2. 光纖激光器受制于器件質量和結構影響,故障率始終居高不下。該款端泵激光光源如何實現高的使用壽命?

    答:光纖激光器的故障率始終是令各大廠商頭疼的問題之一。該款激光光源標刻效果精細,在絕大多數場合已能夠完全代替光纖激光器。該款激光器采用全封閉光路設計,環境適應能力強,諧振腔設計由具有十余年豐富經驗的工程師團隊完成,輔以優良的工藝性,實現了連續兩年返修率均低于3%。

    3. 端面泵浦激光具有什么特點?

    答:1. 峰值功率高,達到30KW,是50瓦半導體水冷激光器的兩倍。

    2. 脈寬窄,更有利于高峰值能量的積累。

    3. 激光頻率高,達到光點密度與加工速度的完美結合。

    4. 光束質量好,M方因子小于1.3,光斑圓度高。

    5. 脈沖尖峰序列穩定,光斑一致性好

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