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如何測(cè)試靜電 靜電測(cè)試專業(yè)機(jī)構(gòu) 靜電測(cè)試儀器 深圳靜電測(cè)試第 

時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由IC的腳(pin)而進(jìn)入IC內(nèi)，再經(jīng)由IC放電到地去，如圖2.1-1(a)所示。此放電的過程會(huì)在短到幾百毫微秒(ns)的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，此電流會(huì)把IC內(nèi)的元件給燒毀。不同HBM靜電電壓相對(duì)產(chǎn)生的瞬間放電電流與時(shí)間的關(guān)系。對(duì)一般商用IC的2-KV ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。

2 機(jī)器放電模型 (Machine Model, MM)
　　機(jī)器放電模型的ESD是指機(jī)器(例如機(jī)械手臂)本身累積了靜電，當(dāng)此機(jī)器去碰觸到IC時(shí)，該靜電便經(jīng)由IC的pin放電。

3 元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)
　　此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當(dāng)其pin去碰觸到接地面時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。
　　此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾毫微秒之內(nèi)，而且放電現(xiàn)象更難以真實(shí)的被模擬。因?yàn)镮C內(nèi)部累積的靜電會(huì)因IC元件本身對(duì)地的等效電容而變，IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式都會(huì)造成不同的等效電容。由于具有多項(xiàng)變化因素難定，因此，有關(guān)此模型放電的工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)仍在協(xié)議中，但已有此類測(cè)試機(jī)臺(tái)在銷售中。

4 電場(chǎng)感應(yīng)下面(Field-Induced Model, FIM)
　　此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場(chǎng)感應(yīng)而起的。當(dāng)IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過一電場(chǎng)時(shí)，其相對(duì)極性的電荷可能會(huì)自一些IC腳而排放掉，等IC通過電場(chǎng)之后，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會(huì)以類似CDM的模式放電出來。有關(guān)FIM的放電模型早在雙載子(bipolar)電晶體時(shí)代就已被發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)今已有工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。在國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦已對(duì)此電場(chǎng)感應(yīng)模型訂定測(cè)試規(guī)范 (JESD22-C101)，詳細(xì)情形請(qǐng)參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。