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IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。深圳回收IGBT模塊，廣州回收IGBT模塊，東莞回收IGBT模塊，中山回收IGBT模塊，珠�；厥誌GBT模塊，回收英飛凌IGBT模塊，回收PLC,回收AB，回收ABB模塊，電話13510249904劉生QQ765094574

由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

——IGBT柵極與發射極之間的電壓;

——IGBT集電極與發射極之間的電壓;

——流過IGBT集電極－發射極的電流;

——IGBT的結溫。

如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。