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PN7724國(guó)產(chǎn)無(wú)線充電芯片方案 

目前市場(chǎng)上主流無(wú)線充電技術(shù)有電磁感應(yīng)方式、磁共振方式、無(wú)線電波方式、電磁耦合方式等，其中電磁感應(yīng)方式和磁共振方式最為常用，隨著蘋(píng)果、華為等手機(jī)終端加入WPC陣營(yíng)，電磁感應(yīng)方式已成為手機(jī)充電的主流技術(shù)，驪微電子無(wú)線充電功率芯片PN7724（10W）、PN7726（20W），內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路、4顆功率開(kāi)關(guān)管和LDO，使無(wú)線充電方案外圍精簡(jiǎn)、溫升低、安全可靠。

PN7724無(wú)線充電芯片搭配一顆通用MCU即可實(shí)現(xiàn)10W無(wú)線充電功率發(fā)射，具有如下特點(diǎn)：

高集成度：將全橋4顆功率開(kāi)關(guān)管、驅(qū)動(dòng)電路、LDO集成于一顆單芯片上，實(shí)現(xiàn)功率模塊全集成！

高轉(zhuǎn)換效率：受益于單芯片功率集成技術(shù)，顯著減小寄生參數(shù)，降低關(guān)斷損耗；受益于自適應(yīng)死驅(qū)調(diào)節(jié)技術(shù)，諧振電流更多時(shí)間流過(guò)MOS溝道，減小導(dǎo)通損耗！

SOP8-PP功率封裝：僅8個(gè)引腳，應(yīng)用簡(jiǎn)單；功率封裝底部散熱片可大面積敷銅散熱，顯著降低芯片及PTx溫升！

安全可靠：與分立MOS方案不同，不論MCU輸出信號(hào)是否異常，PN7724內(nèi)部高低側(cè)MOS只有一個(gè)管子處于導(dǎo)通狀態(tài)，徹底避免直通炸機(jī)!

無(wú)線充電芯片方案直接決定了無(wú)線充電功率、所支持的協(xié)議、支持的功能等，PN7724是一款用于無(wú)線充電的智能功率芯片。該芯片集成了驅(qū)動(dòng)及四顆高效功率級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)置自舉高壓PMOS，內(nèi)置5V/30mA LDO，具有自適應(yīng)死區(qū)功能，該芯片還集成了欠壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能。芯片采用SOP8-PP封裝，具有良好的散熱性能，驪微電子PN7724無(wú)線充電芯片方案整體BOM小于50顆元器件，支持3-9V輸入，典型應(yīng)用5W/7.5W/10W無(wú)線充電方案。