頂立科技立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）
概述：立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳?xì)錃怏w（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理
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立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）技術(shù)特征
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根據(jù)爐膛尺寸與結(jié)構(gòu)設(shè)置溫區(qū)，溫度均勻性好;
采用特殊結(jié)構(gòu)沉積室，密封效果好，抗污染能力強(qiáng)；
采用多通道沉積氣路，流場(chǎng)均勻，無(wú)沉積死角，沉積效果好；
對(duì)炭沉積過程中產(chǎn)生的焦油、固體粉塵、有機(jī)氣體等能進(jìn)行有效的處理
立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）產(chǎn)品規(guī)格
| 參數(shù)\型號(hào) | VCVD-0305-C | VCVD-0608-C | VCVD-0812-C | VCVD-1015-C | VCVD-1120-C | VCVD-1520-C | HCVD-151530-C |
| 工作區(qū)尺寸D×H（mm） | Φ300×500 | Φ600×800 | Φ800×1200 | Φ1000×1500 | Φ1500×2000 | Φ1500×2000 | Φ2600×3200 |
| 最高溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±5 | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±15 |
| 極限真空度（Pa） | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗(yàn)收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。
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