青島福潤德供應全自動lpcvd設備

概述：青島福潤德微電子設備有限公司生產的lpcvd設備是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散系數大，故可采用密集裝片方式來提高生產率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。
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lpcvd是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散系數大，故可采用密集裝片方式來提高生產率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。

■ 主要技術指標

◆ 適用硅片尺寸：4~6 "                                 ◆ 工作溫度范圍：350~1000℃

◆ 恒溫長度及精度：760mm±1℃                         ◆ 溫度梯度：0~30℃可調

◆ 系統極限真空度：0.8 Pa                              ◆ 工作壓力范圍：30Pa~133Pa可調

◆ 淀積膜種類：Si3N4 片內＜±3% 片間＜±3% 批間＜±4%

◆ 淀積膜均勻性：Poiy-Si 片內＜±3% 片間＜±3% 批間＜±4%

◆ 淀積膜均勻性：SiO2 片內＜±3%

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