IGBT
所有分類下結果富士IGBT模塊2MBI150VA-060 2MBI600VE-060 2MBI100VA-170
[中介]V系列 高速，低導通壓降Tj=175℃ 電流在IC：80℃標稱，用于變頻器
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富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V
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富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V
1MBI400S-120 1單元，400A/1200V
2MBI75P-140 2單元，75A/1400V
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三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優化CSTBTTM硅片技術有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環和熱循環能力強具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優化的封裝內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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