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所有分類下結(jié)果三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來(lái)：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
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產(chǎn) 品 型 號(hào) 參 數(shù) 說(shuō) 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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西門康IGBT模塊SKM200GAL125D SKM400GAL125D SKM800GA125D S
[中介]超高速型頻率30KHZ系列
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西門康IGBT模塊5STP06D2800 5STP45N2800 5STP16F2801 5STP29
[中介]ABB普通晶閘管
-獲準(zhǔn)專利的硅滑動(dòng)式結(jié)構(gòu)
-應(yīng)用于大功率的工業(yè)生產(chǎn)和電氣傳動(dòng)領(lǐng)域
-很低的同態(tài)壓降
-選擇合適的Qrr和Vt的器件匹配，可串聯(lián)或并聯(lián)使用
優(yōu)點(diǎn)：
應(yīng)用于大功率的工業(yè)生產(chǎn)和電氣傳動(dòng)領(lǐng)域
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