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所有分類下結果三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優化的封裝內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優化飽和壓降低于業界同類產品續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流開關頻率可達30kHz 模塊內部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優化
飽和壓降低于業界同類產品
續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內部寄生電感低
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
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產 品 型 號 參 數 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DN2 BSM200GA170DN2 BSM150GB120DN2
[中介]DN2標準系列
頻率10~20KHZ
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